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JANTXV2N6301

JANTXV2N6301

Solo per riferimento

Numero parte JANTXV2N6301
PNEDA Part # JANTXV2N6301
Descrizione TRANS PNP DARL 80V 8A TO-66
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 19 - nov 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTXV2N6301 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTXV2N6301
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JANTXV2N6301 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/539
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 80mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 4A, 3V
Potenza - Max75W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-213AA, TO-66-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-66

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Produttore

STMicroelectronics

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-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 3.5A, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

250W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MPSW45G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25000 @ 200mA, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92 (TO-226)

FMMT618TC

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 50mA, 2.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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