JANTXV2N6300
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| Numero parte | JANTXV2N6300 |
| PNEDA Part # | JANTXV2N6300 |
| Descrizione | TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.938 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV2N6300 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV2N6300 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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JANTXV2N6300 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/539 |
| Tipo di transistor | NPN - Darlington |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 8A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 60V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500µA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Potenza - Max | 75W |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-213AA, TO-66-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 (TO-213AA) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA Corrente - Taglio collettore (Max) 2nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 225 @ 10mA, 5V Potenza - Max 360mW Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
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