JANTXV1N6662US
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| Numero parte | JANTXV1N6662US |
| PNEDA Part # | JANTXV1N6662US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.680 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N6662US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N6662US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N6662US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/587 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 500mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
