JANTXV1N5416
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| Numero parte | JANTXV1N5416 |
| PNEDA Part # | JANTXV1N5416 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.686 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N5416 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N5416 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N5416 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 9A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | B, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 60V Capacità @ Vr, F 1.6pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-80 MiniMELF Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 3.8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 430mV @ 3.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.6mA @ 45V Capacità @ Vr, F 1068pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
