JANTX1N6629
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| Numero parte | JANTX1N6629 |
| PNEDA Part # | JANTX1N6629 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 880V 1.4A |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.794 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTX1N6629 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N6629 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N6629 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 880V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 880V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | E, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 620mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 800µA @ 60V Capacità @ Vr, F 720pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
