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JANTX1N6626U

JANTX1N6626U

Solo per riferimento

Numero parte JANTX1N6626U
PNEDA Part # JANTX1N6626U
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1.75A A-MELF
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX1N6626U Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX1N6626U
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JANTX1N6626U Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/590
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.35V @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5A
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

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400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

900ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

9.5pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 8A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

80µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

414pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

RMPG06J-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

MPG06

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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