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JANTX1N1206A

JANTX1N1206A

Solo per riferimento

Numero parte JANTX1N1206A
PNEDA Part # JANTX1N1206A
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $350,0680
50 ---------- $333,6585
100 ---------- $317,2491
200 ---------- $300,8397
400 ---------- $287,1651
500 ---------- $273,4906
Disponibile 200
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX1N1206A Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX1N1206A
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JANTX1N1206A Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/260
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.35V @ 38A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-203AA (DO-4)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

600mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 600mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

MPG06, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

MPG06

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

SBR2U150SA-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

75µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

SF31G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-30EPF02-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.41V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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