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JAN1N914

JAN1N914

Solo per riferimento

Numero parte JAN1N914
PNEDA Part # JAN1N914
Descrizione DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN1N914 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN1N914
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JAN1N914 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/116
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)75V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 50mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 75V
Capacità @ Vr, F2.8pF @ 1.5V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-35 (DO-204AH)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 120V

Capacità @ Vr, F

1350pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

SlimDPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

8ETU04S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

SIDC53D120H8X1SA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.97V @ 100A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

27µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

S150QR

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 150A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AA (DO-8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

UH1CHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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