JAN1N3600
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| Numero parte | JAN1N3600 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JAN1N3600 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 331 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JAN1N3600 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N3600 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N3600 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-7 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 4.6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 610mV @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2.9mA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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