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J175_D75Z

J175_D75Z

Solo per riferimento

Numero parte J175_D75Z
PNEDA Part # J175_D75Z
Descrizione JFET P-CH 30V 0.35W TO92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.194
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

J175_D75Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJ175_D75Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
J175_D75Z, J175_D75Z Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 728,24 KB)
PDFJ175_D27Z Datasheet Copertura
J175_D27Z Datasheet Pagina 2 J175_D27Z Datasheet Pagina 3 J175_D27Z Datasheet Pagina 4 J175_D27Z Datasheet Pagina 5 J175_D27Z Datasheet Pagina 6 J175_D27Z Datasheet Pagina 7 J175_D27Z Datasheet Pagina 8 J175_D27Z Datasheet Pagina 9 J175_D27Z Datasheet Pagina 10 J175_D27Z Datasheet Pagina 11

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J175_D75Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id3V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)125 Ohms
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

2SK1070PIETR-E

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

22V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

0V @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MPAK

BF246A_J35Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MMBFJ175LT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

125 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

18 Ohms

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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