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J111,126

J111,126

Solo per riferimento

Numero parte J111,126
PNEDA Part # J111-126
Descrizione JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.430
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

J111 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJ111,126
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
J111, J111 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 31,88 KB)
PDFJ112 Datasheet Copertura
J112 Datasheet Pagina 2 J112 Datasheet Pagina 3 J112 Datasheet Pagina 4 J112 Datasheet Pagina 5 J112 Datasheet Pagina 6

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J111 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id10V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (On)30 Ohms
Potenza - Max400mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

J112RL1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

20mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 10µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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