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IXXH40N65B4H1

IXXH40N65B4H1

Solo per riferimento

Numero parte IXXH40N65B4H1
PNEDA Part # IXXH40N65B4H1
Descrizione IGBT 650V 120A 455W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario
1 ---------- $103,5059
50 ---------- $98,6541
100 ---------- $93,8022
200 ---------- $88,9504
400 ---------- $84,9072
500 ---------- $80,8640
Disponibile 1.990
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXXH40N65B4H1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXXH40N65B4H1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXXH40N65B4H1, IXXH40N65B4H1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 173,35 KB)
PDFIXXH40N65B4H1 Datasheet Copertura
IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 2 IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 3 IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 4 IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 5 IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 6 IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 7 IXXH40N65B4H1 Datasheet Pagina 8

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IXXH40N65B4H1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX4™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)120A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Potenza - Max455W
Switching Energy1.4mJ (on), 560µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge77nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C28ns/144ns
Condizione di test400V, 40A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)120ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

390µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/125ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

IRG7CH54K10EF-R

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

290nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

75ns/305ns

Condizione di test

600V, 50A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

ISL9V5036S3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/10.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262AA

IRG6I320UPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

Potenza - Max

39W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

46nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/89ns

Condizione di test

196V, 12A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

APT33GF120B2RDQ2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

64A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A

Potenza - Max

357W

Switching Energy

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14ns/185ns

Condizione di test

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Venduto di recente

LT1963AES8#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.5A 8SOIC

S3A-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF

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MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

R5F21335CNFP#30

R5F21335CNFP#30

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 24KB FLASH 32LQFP

VLMS1300-GS08

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Vishay Semiconductor Opto Division

LED RED 0603 SMD

STPS2H100U

STPS2H100U

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

74F00SC

74F00SC

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

1SMB36AT3G

1SMB36AT3G

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

S14100038

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Wurth Electronics

CMC 560UH 20A 2LN TH

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

MIC2026-2YM

MIC2026-2YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

SMAJ36CA

SMAJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AC