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IXTQ74N20P

IXTQ74N20P

Solo per riferimento

Numero parte IXTQ74N20P
PNEDA Part # IXTQ74N20P
Descrizione MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.946
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IXTQ74N20P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTQ74N20P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTQ74N20P, IXTQ74N20P Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 170,06 KB)
PDFIXTT74N20P Datasheet Copertura
IXTT74N20P Datasheet Pagina 2 IXTT74N20P Datasheet Pagina 3 IXTT74N20P Datasheet Pagina 4 IXTT74N20P Datasheet Pagina 5

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IXTQ74N20P Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolarHT™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C74A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3300pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)480W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3010pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WPAK

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

760mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

543W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

106W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / Custodia

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HVSON (6x5)

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

STL24NM60N

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta), 16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

215mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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