IXTP08N50D2
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| Numero parte | IXTP08N50D2 |
| PNEDA Part # | IXTP08N50D2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTP08N50D2 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTP08N50D2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTP08N50D2 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6Ohm @ 400mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 312pF @ 25V |
| Funzione FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 520µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±35V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PML Pacchetto / Custodia TO-3P-3 Full Pack |
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