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IXGT32N170A

IXGT32N170A

Solo per riferimento

Numero parte IXGT32N170A
PNEDA Part # IXGT32N170A
Descrizione IGBT 1700V 32A 350W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT32N170A Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT32N170A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT32N170A, IXGT32N170A Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 572,97 KB)
PDFIXGT32N170A Datasheet Copertura
IXGT32N170A Datasheet Pagina 2 IXGT32N170A Datasheet Pagina 3 IXGT32N170A Datasheet Pagina 4 IXGT32N170A Datasheet Pagina 5

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IXGT32N170A Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)32A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5V @ 15V, 21A
Potenza - Max350W
Switching Energy1.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C46ns/260ns
Condizione di test850V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Potenza - Max

42W

Switching Energy

61µJ (on), 84µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14ns/164ns

Condizione di test

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 80A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

4.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

240nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/140ns

Condizione di test

480V, 80A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264AA(IXSK)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

85µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/70ns

Condizione di test

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 48A

Potenza - Max

325W

Switching Energy

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

145nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

70ns/140ns

Condizione di test

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

145nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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