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IXGP12N60CD1

IXGP12N60CD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGP12N60CD1
PNEDA Part # IXGP12N60CD1
Descrizione IGBT 600V 24A 100W TO220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.032
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGP12N60CD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGP12N60CD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGP12N60CD1, IXGP12N60CD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 70,87 KB)
PDFIXGP12N60CD1 Datasheet Copertura
IXGP12N60CD1 Datasheet Pagina 2

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IXGP12N60CD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™, Lightspeed™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)24A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max100W
Switching Energy90µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge32nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/60ns
Condizione di test480V, 12A, 18Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Potenza - Max

460W

Switching Energy

230µJ (on), 520µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

162nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/105ns

Condizione di test

200V, 50A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

FGPF50N30TTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 15A

Potenza - Max

46.8W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

97nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

STGD19N40LZ

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 4.5V, 10A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

17nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

650ns/13.5µs

Condizione di test

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

IRG4IBC10UD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

140µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/87ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

IRG4BC30KDSTRLP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

600µJ (on), 580µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

67nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/160ns

Condizione di test

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Venduto di recente

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

M24256-BRMN6TP

M24256-BRMN6TP

STMicroelectronics

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO

AT90S1200-4SC

AT90S1200-4SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC

NFM41CC223R2A3L

NFM41CC223R2A3L

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 100V 1806

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

ESD5V0D3-TP

ESD5V0D3-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 5V 15.5V SOD323

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

ADP191ACBZ-R7

ADP191ACBZ-R7

Analog Devices

IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

A42MX09-PQ100

A42MX09-PQ100

Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP