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IXGH32N60C

IXGH32N60C

Solo per riferimento

Numero parte IXGH32N60C
PNEDA Part # IXGH32N60C
Descrizione IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 20 - nov 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH32N60C Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH32N60C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH32N60C, IXGH32N60C Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 117,66 KB)
PDFIXGT32N60C Datasheet Copertura
IXGT32N60C Datasheet Pagina 2 IXGT32N60C Datasheet Pagina 3 IXGT32N60C Datasheet Pagina 4

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IXGH32N60C Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™, Lightspeed™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 32A
Potenza - Max200W
Switching Energy320µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge110nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/85ns
Condizione di test480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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SGB06N60ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

Potenza - Max

68W

Switching Energy

215µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/220ns

Condizione di test

400V, 6A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

APT25GP120BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

69A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Potenza - Max

417W

Switching Energy

500µJ (on), 438µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/70ns

Condizione di test

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

HGTP20N60A4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

105µJ (on), 150µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

142nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/73ns

Condizione di test

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

RGTH00TS65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

277W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/143ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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