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IXGH32N60B

IXGH32N60B

Solo per riferimento

Numero parte IXGH32N60B
PNEDA Part # IXGH32N60B
Descrizione IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.082
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH32N60B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH32N60B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH32N60B, IXGH32N60B Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 35,55 KB)
PDFIXGH32N60B Datasheet Copertura
IXGH32N60B Datasheet Pagina 2

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IXGH32N60B Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 32A
Potenza - Max200W
Switching Energy800µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge125nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/100ns
Condizione di test480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Potenza - Max

830W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

425nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IRGP50B60PDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Potenza - Max

370W

Switching Energy

360µJ (on), 380µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

240nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

34ns/130ns

Condizione di test

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

460W

Switching Energy

2.2mJ (on), 630µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

196nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/123ns

Condizione di test

600V, 40A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

AOD5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.98V @ 15V, 5A

Potenza - Max

69W

Switching Energy

80µJ (on), 70µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

14nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

8.5ns/106ns

Condizione di test

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

195ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

380A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

900A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Potenza - Max

1630W

Switching Energy

2.85mJ (on), 4.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

315nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

48ns/160ns

Condizione di test

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Venduto di recente

1N5254B

1N5254B

ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 500MW DO35

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

74VCX162244MTD

74VCX162244MTD

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V 48TSSOP

RCLAMP0502BATCT

RCLAMP0502BATCT

Semtech

TVS DIODE 5V 25V SC75

SMBJ16A

SMBJ16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 16V 26V DO214AA

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

B560C-13-F

B560C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC

SHT11

SHT11

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V DTL 3% SMD

FQD3P50TM

FQD3P50TM

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

VLCF5020T-220MR75-1

VLCF5020T-220MR75-1

TDK

FIXED IND 22UH 750MA 496 MOHM