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IXGH25N120A

IXGH25N120A

Solo per riferimento

Numero parte IXGH25N120A
PNEDA Part # IXGH25N120A
Descrizione IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.248
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH25N120A Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH25N120A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH25N120A, IXGH25N120A Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 45,89 KB)
PDFIXGH25N120 Datasheet Copertura
IXGH25N120 Datasheet Pagina 2

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IXGH25N120A Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Potenza - Max200W
Switching Energy11mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge130nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C100ns/650ns
Condizione di test960V, 25A, 33Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

75µJ (on), 225µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/83ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

190A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 30A

Potenza - Max

230W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

88nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

38ns/168ns

Condizione di test

960V, 30A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUSi5-Pak™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

448nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

APT13GP120BDQ1G

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/28ns

Condizione di test

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

400V, 75A, 5.2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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