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IXGH20N120B

IXGH20N120B

Solo per riferimento

Numero parte IXGH20N120B
PNEDA Part # IXGH20N120B
Descrizione IGBT 1200V 40A 190W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH20N120B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH20N120B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH20N120B, IXGH20N120B Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 568,45 KB)
PDFIXGH20N120BD1 Datasheet Copertura
IXGH20N120BD1 Datasheet Pagina 2 IXGH20N120BD1 Datasheet Pagina 3 IXGH20N120BD1 Datasheet Pagina 4 IXGH20N120BD1 Datasheet Pagina 5

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IXGH20N120B Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
Potenza - Max190W
Switching Energy2.1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge72nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/150ns
Condizione di test960V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

188nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/130ns

Condizione di test

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

47ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IXBT24N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.06µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

FGAF20N60SMD

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

452µJ (on), 141µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

64nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/91ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

26.7ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

STGF3NB60FD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

125µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

16nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12.5ns/105ns

Condizione di test

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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