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IXGA15N120B

IXGA15N120B

Solo per riferimento

Numero parte IXGA15N120B
PNEDA Part # IXGA15N120B
Descrizione IGBT 1200V 30A 150W TO263AA
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.506
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 29 - lug 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGA15N120B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGA15N120B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGA15N120B, IXGA15N120B Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 51,8 KB)
PDFIXGA15N120B Datasheet Copertura
IXGA15N120B Datasheet Pagina 2

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IXGA15N120B Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
Potenza - Max150W
Switching Energy1.75mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge69nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/180ns
Condizione di test960V, 15A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (IXGA)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

36A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

220µJ (on), 330µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/100ns

Condizione di test

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Produttore

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

290A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

Potenza - Max

940W

Switching Energy

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

422nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

52ns/197ns

Condizione di test

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXXK)

APT50GR120L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

117A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Potenza - Max

694W

Switching Energy

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

445nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/237ns

Condizione di test

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

SKP02N60XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Potenza - Max

30W

Switching Energy

64µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

14nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/259ns

Condizione di test

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRG8CH15K10F

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

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-

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-

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

600V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

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