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IXGA12N60C

IXGA12N60C

Solo per riferimento

Numero parte IXGA12N60C
PNEDA Part # IXGA12N60C
Descrizione IGBT 600V 24A 100W TO263AA
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.328
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGA12N60C Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGA12N60C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGA12N60C, IXGA12N60C Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 96,03 KB)
PDFIXGA12N60C Datasheet Copertura
IXGA12N60C Datasheet Pagina 2 IXGA12N60C Datasheet Pagina 3 IXGA12N60C Datasheet Pagina 4

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IXGA12N60C Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)24A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max100W
Switching Energy90µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge32nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/60ns
Condizione di test480V, 12A, 18Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (IXGA)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

52A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

208W

Switching Energy

85µJ (on), 189µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

53nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/97ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

STGP15M65DF2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

136W

Switching Energy

90µJ (on), 450µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

45nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/93ns

Condizione di test

400V, 15A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

142ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

APT45GR65B2DU30

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

118A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

224A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Potenza - Max

543W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

203nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/100ns

Condizione di test

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™ [B2]

APT44GA60B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

409µJ (on), 258µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

128nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/84ns

Condizione di test

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

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-

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