IXFN60N80P
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| Numero parte | IXFN60N80P | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IXFN60N80P | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 87 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXFN60N80P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFN60N80P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXFN60N80P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | PolarHV™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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