IXFN55N50F
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| Numero parte | IXFN55N50F | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IXFN55N50F | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS-RF | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 223 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXFN55N50F Risorse
| Brand | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFN55N50F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFN55N50F Specifiche
| Produttore | IXYS-RF |
| Serie | HiPerRF™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 27.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 600W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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