IXFA4N100P
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Numero parte | IXFA4N100P |
PNEDA Part # | IXFA4N100P |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.316 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | ott 1 - ott 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFA4N100P Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFA4N100P |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXFA4N100P Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1456pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXFA) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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