IXFA20N85XHV
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| Numero parte | IXFA20N85XHV |
| PNEDA Part # | IXFA20N85XHV |
| Descrizione | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.532 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFA20N85XHV Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFA20N85XHV |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXFA20N85XHV Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 850V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 540W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak-HV) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P6 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
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