IXFA18N60X
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| Numero parte | IXFA18N60X |
| PNEDA Part # | IXFA18N60X |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.084 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFA18N60X Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFA18N60X |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFA18N60X Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 320W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AA |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 500mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 98pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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