IXDN430MYI
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| Numero parte | IXDN430MYI |
| PNEDA Part # | IXDN430MYI |
| Descrizione | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXDN430MYI Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXDN430MYI |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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IXDN430MYI Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 8.5V ~ 35V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 30A, 30A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 18ns, 16ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 90ns, 40ns Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 2.3V, - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1A, 1A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Tempo di salita / discesa (tipico) 990ns, 715ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WSON (4x4) |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 6A, 6A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-S (6x5) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 11.5V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 125ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4.5A, 4.5A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-S (6x5) |
