IXDE514SIA
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| Numero parte | IXDE514SIA |
| PNEDA Part # | IXDE514SIA |
| Descrizione | IC GATE DRIVER 14A 8-SOIC |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.184 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXDE514SIA Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXDE514SIA |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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IXDE514SIA Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 30V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1V, 2.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 14A, 14A |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 25ns, 22ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore IXYS Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 30V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 9ns, 8ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) -, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 8ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10.8V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 80ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 1.22V, 2.08V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 6A, 6A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
