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IXBX75N170

IXBX75N170

Solo per riferimento

Numero parte IXBX75N170
PNEDA Part # IXBX75N170
Descrizione IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.940
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IXBX75N170 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBX75N170
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBX75N170, IXBX75N170 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 179,72 KB)
PDFIXBX75N170 Datasheet Copertura
IXBX75N170 Datasheet Pagina 2 IXBX75N170 Datasheet Pagina 3 IXBX75N170 Datasheet Pagina 4 IXBX75N170 Datasheet Pagina 5

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IXBX75N170 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)580A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max1040W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge350nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247™-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

SGP30N60HSXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

1.15mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

141nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/250ns

Condizione di test

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRGB8B60KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

160µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/140ns

Condizione di test

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IXGP20N120

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

6.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

63nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/400ns

Condizione di test

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/310ns

Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

280ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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