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IX2B11S7T/R

IX2B11S7T/R

Solo per riferimento

Numero parte IX2B11S7T/R
PNEDA Part # IX2B11S7T-R
Descrizione IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IX2B11S7T/R Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIX2B11S7T/R
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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IX2B11S7T/R Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidata-
Tipo di canale-
Numero di driver-
Tipo di porta-
Tensione - Alimentazione-
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingresso-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SOIC

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IXYS Integrated Circuits Division

Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

22ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-5 Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-5

NCP5359MNR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Tempo di salita / discesa (tipico)

16ns, 11ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

TSC426MJA/883B

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

Military, MIL-STD-883

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-CERDIP

IR2233J

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

TC4420CPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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