ISL9R860S3ST
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| Numero parte | ISL9R860S3ST | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | ISL9R860S3ST | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.819 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 24 - apr 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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ISL9R860S3ST Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL9R860S3ST |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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ISL9R860S3ST Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Stealth™ |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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