ISL9R18120S3ST
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Numero parte | ISL9R18120S3ST |
PNEDA Part # | ISL9R18120S3ST |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 15.000 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 7 - nov 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL9R18120S3ST Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | ISL9R18120S3ST |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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ISL9R18120S3ST Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | Stealth™ |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 18A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 18A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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