ISL9R18120P2
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| Numero parte | ISL9R18120P2 |
| PNEDA Part # | ISL9R18120P2 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.564 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL9R18120P2 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL9R18120P2 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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ISL9R18120P2 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Stealth™ |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 18A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 18A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 70ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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