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ISL6613CBZ-T

ISL6613CBZ-T

Solo per riferimento

Numero parte ISL6613CBZ-T
PNEDA Part # ISL6613CBZ-T
Descrizione IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6613CBZ-T Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6613CBZ-T
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6613CBZ-T, ISL6613CBZ-T Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 674,48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Copertura
ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 2 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 3 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 4 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 5 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 6 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 7 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 8 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 9 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 10 ISL6612CRZ-TR5238 Datasheet Pagina 11

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ISL6613CBZ-T Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.25A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)26ns, 18ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 1V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Tempo di salita / discesa (tipico)

21ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-10°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NCP5106ADR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

85ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX5075CAUA

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

17V (Max)

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.8V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

400mA, 650mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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