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IS64LPS25636A-166TQLA3

IS64LPS25636A-166TQLA3

Solo per riferimento

Numero parte IS64LPS25636A-166TQLA3
PNEDA Part # IS64LPS25636A-166TQLA3
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario
1 ---------- $236,7762
50 ---------- $225,6773
100 ---------- $214,5784
200 ---------- $203,4795
400 ---------- $194,2305
500 ---------- $184,9814
Disponibile 4.086
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS64LPS25636A-166TQLA3 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS64LPS25636A-166TQLA3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS64LPS25636A-166TQLA3, IS64LPS25636A-166TQLA3 Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 2.595,04 KB)
PDFIS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Copertura
IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 2 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 3 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 4 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 5 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 6 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 7 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 8 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 9 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 10 IS61LPS25636A-200B2I-TR Datasheet Pagina 11

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IS64LPS25636A-166TQLA3 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP II

MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Tb (512G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S29GL032N90TFA020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

IS43DR81280C-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TWBGA (8x10.5)

AT25FS010Y7-YH27-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

50MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (6x4.9)

Venduto di recente

HSMS-2862-TR1G

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Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

UUX1E470MCL1GS

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CAP ALUM 47UF 20% 25V SMD

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

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BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP