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IS62WV5128BLL-55BI-TR

IS62WV5128BLL-55BI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS62WV5128BLL-55BI-TR
PNEDA Part # IS62WV5128BLL-55BI-TR
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WV5128BLL-55BI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WV5128BLL-55BI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WV5128BLL-55BI-TR, IS62WV5128BLL-55BI-TR Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 280,72 KB)
PDFIS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Copertura
IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 2 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 3 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 4 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 5 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 6 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 7 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 8 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 9 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 10 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 11

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IS62WV5128BLL-55BI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore36-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

MT29F4G08AACHC:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA

IS61LPD102418A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Quad Port, Synchronous

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-PBGA (13x15)

71V65803S100BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

7133LA45J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (2K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

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