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IS62WV51216EFBLL-45BLI

IS62WV51216EFBLL-45BLI

Solo per riferimento

Numero parte IS62WV51216EFBLL-45BLI
PNEDA Part # IS62WV51216EFBLL-45BLI
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.600
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WV51216EFBLL-45BLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WV51216EFBLL-45BLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WV51216EFBLL-45BLI, IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 744,07 KB)
PDFIS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Copertura
IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 2 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 3 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 4 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 5 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 6 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 7 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 8 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 9 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 10 IS62WV51216EFBLL-45BLI Datasheet Pagina 11

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  • IS62WV51216EFBLL-45BLI Distributor

IS62WV51216EFBLL-45BLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso45ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOP

GD25Q127CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12µs, 2.4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

S29AL008J70BFA013

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, AL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8.15x6.15)

IS43R16160F-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

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