IS61NVF51236-7.5B3I-TR
Solo per riferimento
| Numero parte | IS61NVF51236-7.5B3I-TR |
| PNEDA Part # | IS61NVF51236-7-5B3I-TR |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.276 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IS61NVF51236-7.5B3I-TR Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IS61NVF51236-7.5B3I-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS61NVF51236-7.5B3I-TR, IS61NVF51236-7.5B3I-TR Datasheet
(Totale pagine: 35, Dimensioni: 496,97 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR Datasheet
- where to find IS61NVF51236-7.5B3I-TR
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-7.5B3I-TR
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR PDF Datasheet
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR Stock
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR Pinout
- Datasheet IS61NVF51236-7.5B3I-TR
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR Supplier
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR Price
- IS61NVF51236-7.5B3I-TR Distributor
IS61NVF51236-7.5B3I-TR Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 117MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 7.5ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.375V ~ 2.625V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 66-TSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH, RAM Tecnologia FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria 8Gb (512M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 137-TFBGA (10.5x13) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-TSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL2-K Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Dual I/O Frequenza di clock 76MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM - EDO Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 30ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 42-SOJ |
