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IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR

IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR
PNEDA Part # IS61NLF25636B-7-5TQLI-TR
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
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IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61NLF25636B-7.5TQLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR, IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 915,42 KB)
PDFIS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Copertura
IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 2 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 3 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 4 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 5 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 6 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 7 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 8 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 9 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 10 IS61NLF51218B-7.5TQLI Datasheet Pagina 11

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  • IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR Distributor

IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-LQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

137-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

137-TFBGA (10.5x13)

M50FW040N1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-TSOP

IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (6x8)

IDT7164S20YI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

2.0GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

170-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

170-FBGA (12x14)

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