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IS61LPS204818B-200B3L

IS61LPS204818B-200B3L

Solo per riferimento

Numero parte IS61LPS204818B-200B3L
PNEDA Part # IS61LPS204818B-200B3L
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.734
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LPS204818B-200B3L Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LPS204818B-200B3L
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LPS204818B-200B3L, IS61LPS204818B-200B3L Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 1.227,49 KB)
PDFIS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Copertura
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 2 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 3 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 4 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 5 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 6 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 7 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 8 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 9 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 10 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS61LPS204818B-200B3L Distributor

IS61LPS204818B-200B3L Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.1ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-TFBGA (13x15)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

CY7C1061G-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

IS42S81600F-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

NAND08GAH0FZC5E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-LFBGA (11.5x13)

MTFC32GAKAEEF-AAT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-TFBGA (14x18)

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