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IS61LPD51236A-200TQI-TR

IS61LPD51236A-200TQI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61LPD51236A-200TQI-TR
PNEDA Part # IS61LPD51236A-200TQI-TR
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Disponibile 5.364
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LPD51236A-200TQI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LPD51236A-200TQI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LPD51236A-200TQI-TR, IS61LPD51236A-200TQI-TR Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 552,91 KB)
PDFIS61VPD51236A-250B3I Datasheet Copertura
IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 2 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 3 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 4 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 5 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 6 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 7 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 8 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 9 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 10 IS61VPD51236A-250B3I Datasheet Pagina 11

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  • IS61LPD51236A-200TQI-TR Distributor

IS61LPD51236A-200TQI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.1ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-LFBGA (8x13)

7028L15PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

AT28C64B-15TU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

BQ4015LYMA-70N

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-DIP Module (18.42x42.8)

MT29F128G08CBECBL95B3WC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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