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IS61DDP2B41M18A-400M3L

IS61DDP2B41M18A-400M3L

Solo per riferimento

Numero parte IS61DDP2B41M18A-400M3L
PNEDA Part # IS61DDP2B41M18A-400M3L
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61DDP2B41M18A-400M3L Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61DDP2B41M18A-400M3L
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61DDP2B41M18A-400M3L, IS61DDP2B41M18A-400M3L Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 923,3 KB)
PDFIS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Copertura
IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 2 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 3 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 4 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 5 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 6 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 7 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 8 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 9 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 10 IS61DDP2B451236A-400M3L Datasheet Pagina 11

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IS61DDP2B41M18A-400M3L Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, DDR IIP
Dimensione della memoria18Mb (1M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.71V ~ 1.89V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-LFBGA (15x17)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

72Kb (8K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

80-TQFP (14x14)

NM93CS46EM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TBGA (12x18)

IDT70T3319S133DDI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 2.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-LQFP Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

144-TQFP (20x20)

MT41J512M8RH-107:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x10.5)

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