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IS45VM16800H-75BLA2-TR

IS45VM16800H-75BLA2-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS45VM16800H-75BLA2-TR
PNEDA Part # IS45VM16800H-75BLA2-TR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS45VM16800H-75BLA2-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS45VM16800H-75BLA2-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS45VM16800H-75BLA2-TR, IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 848,37 KB)
PDFIS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Copertura
IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 2 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 3 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 4 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 5 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 6 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 7 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 8 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 9 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 10 IS45VM16800H-75BLA2-TR Datasheet Pagina 11

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IS45VM16800H-75BLA2-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x8)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

IDT71V67803S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

MTFC16GAKAECN-4M IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-VFBGA (11.5x13)

93LC46XT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

71V3559S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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