IS43TR16128C-107MBLI
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| Numero parte | IS43TR16128C-107MBLI |
| PNEDA Part # | IS43TR16128C-107MBLI |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.086 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS43TR16128C-107MBLI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS43TR16128C-107MBLI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS43TR16128C-107MBLI, IS43TR16128C-107MBLI Datasheet
(Totale pagine: 87, Dimensioni: 4.526,78 KB)
  
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IS43TR16128C-107MBLI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
| Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 933MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 195ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.425V ~ 1.575V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 96-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 96-TWBGA (9x13) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-WBGA (8x13) |
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