Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IS43R86400E-6BL

IS43R86400E-6BL

Solo per riferimento

Numero parte IS43R86400E-6BL
PNEDA Part # IS43R86400E-6BL
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.736
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43R86400E-6BL Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43R86400E-6BL
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43R86400E-6BL, IS43R86400E-6BL Datasheet (Totale pagine: 34, Dimensioni: 770,19 KB)
PDFIS43R16320E-6BI Datasheet Copertura
IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 2 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 3 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 4 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 5 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 6 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 7 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 8 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 9 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 10 IS43R16320E-6BI Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IS43R86400E-6BL Datasheet
  • where to find IS43R86400E-6BL
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BL
  • IS43R86400E-6BL PDF Datasheet
  • IS43R86400E-6BL Stock

  • IS43R86400E-6BL Pinout
  • Datasheet IS43R86400E-6BL
  • IS43R86400E-6BL Supplier

  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
  • IS43R86400E-6BL Price
  • IS43R86400E-6BL Distributor

IS43R86400E-6BL Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-TFBGA (13x8)

I prodotti a cui potresti essere interessato

AT25020A-10PI-1.8

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

S29GL128P90FFSS72

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

IDT71P74804S250BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

GD5F4GQ4UBYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

MT25QL512ABB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-T-PBGA (6x8)

Venduto di recente

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA

TSH82IYDT

TSH82IYDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

ADF4360-7BCPZRL7

ADF4360-7BCPZRL7

Analog Devices

IC SYNTHESIZER VCO 24LFCSP

SRN6045TA-470M

SRN6045TA-470M

Bourns

FIXED IND 47UH 1.6A 200 MOHM SMD

LQH43CN100K03L

LQH43CN100K03L

Murata

FIXED IND 10UH 650MA 240 MOHM

MF-MSMF260-2

MF-MSMF260-2

Bourns

PTC RESET FUSE 6V 2.6A 1812

EN5329QI

EN5329QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.9V 10W

LTC1326IS8-2.5#PBF

LTC1326IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PREC TRPL SUPPLY MONITR 8SOIC

ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

Silicon Labs

DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC