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IS43LD16640A-3BL-TR

IS43LD16640A-3BL-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS43LD16640A-3BL-TR
PNEDA Part # IS43LD16640A-3BL-TR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.770
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS43LD16640A-3BL-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS43LD16640A-3BL-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS43LD16640A-3BL-TR, IS43LD16640A-3BL-TR Datasheet (Totale pagine: 143, Dimensioni: 6.603,82 KB)
PDFIS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Copertura
IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 2 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 3 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 4 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 5 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 6 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 7 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 8 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 9 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 10 IS46LD32320A-3BPLA25-TR Datasheet Pagina 11

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IS43LD16640A-3BL-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-TFBGA (10x11.5)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

7µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CY7C1514V18-167BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

M95160-MN6TP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MT48H4M16LFB4-8:H

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

70V3379S6PRF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

576Kb (32K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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