IS42VM32160E-6BLI-TR
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| Numero parte | IS42VM32160E-6BLI-TR |
| PNEDA Part # | IS42VM32160E-6BLI-TR |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.276 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS42VM32160E-6BLI-TR Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS42VM32160E-6BLI-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS42VM32160E-6BLI-TR, IS42VM32160E-6BLI-TR Datasheet
(Totale pagine: 33, Dimensioni: 879,55 KB)
  
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IS42VM32160E-6BLI-TR Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile |
| Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 5.5ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) |
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