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IS42S32800B-7BLI

IS42S32800B-7BLI

Solo per riferimento

Numero parte IS42S32800B-7BLI
PNEDA Part # IS42S32800B-7BLI
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS42S32800B-7BLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS42S32800B-7BLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS42S32800B-7BLI, IS42S32800B-7BLI Datasheet (Totale pagine: 62, Dimensioni: 1.917,86 KB)
PDFIS42S32800B-6BI-TR Datasheet Copertura
IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 2 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 3 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 4 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 5 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 6 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 7 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 8 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 9 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 10 IS42S32800B-6BI-TR Datasheet Pagina 11

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IS42S32800B-7BLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-LFBGA (8x13)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

80-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

W25Q40BWUXIE TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

216-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

216-FBGA (12x12)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

2.25Mb (128K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

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