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IS42RM16160D-7BLI-TR

IS42RM16160D-7BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS42RM16160D-7BLI-TR
PNEDA Part # IS42RM16160D-7BLI-TR
Descrizione IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS42RM16160D-7BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS42RM16160D-7BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS42RM16160D-7BLI-TR, IS42RM16160D-7BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 461,65 KB)
PDFIS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Copertura
IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 2 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 3 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 4 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 5 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 6 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 7 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 8 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 9 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 10 IS42SM32800D-75BL-TR Datasheet Pagina 11

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IS42RM16160D-7BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (9x11.5)

IDT71256SA12TP

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

IS61NVP409618B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.8ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

IS42S32800D-75EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

SST25PF040CT-40V/MF

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q100, SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (5x6)

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